FLASH闪存

1. FLASH简介

STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程

读写FLASH的用途：

• 利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据
• 通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新

在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序

在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序

2. 闪存模块组织

3. FLASH解锁

FPEC共有三个键值：

• RDPRT键 = 0x000000A5
• KEY1 = 0x45670123
• KEY2 = 0xCDEF89AB

解锁：

• 复位后，FPEC被保护，不能写入FLASH_CR
• 在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，解锁
• 错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR

加锁：

• 设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR

4. 使用指针访问存储器

使用指针读指定地址下的存储器：

uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));

使用指针写指定地址下的存储器：

*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;

其中：

#define    __IO    volatile

5. 程序存储器编程

6. 程序存储器页擦除

7. 程序存储器全擦除

8. 选项字节

RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护。

USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位。

Data0/1：用户可自定义使用。

WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量。

9. 选项字节编程

检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。

解锁FLASH_CR的OPTWRE位。

设置FLASH_CR的OPTPG位为1。

写入要编程的半字到指定的地址。

等待BSY位变为0。

读出写入的地址并验证数据。

10. 选项字节擦除

检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。

解锁FLASH_CR的OPTWRE位。

设置FLASH_CR的OPTER位为1。

设置FLASH_CR的STRT位为1。

等待BSY位变为0。

读出被擦除的选择字节并做验证。

11. 器件电子签名

电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名。

闪存容量寄存器：

• 基地址：0x1FFF F7E0
• 大小：16位

产品唯一身份标识寄存器：

• 基地址： 0x1FFF F7E8
• 大小：96位